NTTFS5116PLTWG - MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Número de pieza del fabricante

NTTFS5116PLTWG

Número interno de parte

AX-NTTFS5116PLTWG

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1457805 Pieces

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Especificaciones para NTTFS5116PLTWG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTTFS5116PLTWG

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1258pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-WDFN (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NTTF , NTTFS51

Documentos para NTTFS5116PLTWG

Hojas de datos : NTTFS5116PLTWG.pdf

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