SQD50N10-8M9L_GE3 - MOSFET N-CHAN 100V TO252

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHAN 100V TO252
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
605550 Pieces
Precio de referencia
USD 0.46332
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Especificaciones para SQD50N10-8M9L_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SQD50N10-8M9L_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CHAN 100V TO252
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2950pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252AA
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Documentos para SQD50N10-8M9L_GE3

Hojas de datos : SQD50N10-8M9L_GE3.pdf

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