NTLGF3501NT1G - MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9336 Pieces
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Especificaciones para NTLGF3501NT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NTLGF3501NT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Serie : FETKY™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 275pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.14W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-DFN (3x3)
Paquete / Caja : 6-VDFN Exposed Pad
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : NTLGF3501NT1G.pdf

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