W987D2HBJX7E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
238060 Pieces
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Especificaciones para W987D2HBJX7E TR
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : W987D2HBJX7E TR
Fabricante : Winbond Electronics
Descripción : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - Mobile LPSDR
Tamaño de la memoria : 128Mb (4M x 32)
Frecuencia de reloj : 133MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns
Tiempo de acceso : 5.4ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 90-VFBGA (8x13)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para W987D2HBJX7E TR
Hojas de datos : W987D2HBJX7E TR.pdf
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