IRF5802TRPBF - MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF5802TRPBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2100090 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IRF5802TRPBF
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IRF5802TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Serie :
HEXFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
900mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
88pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IRF5802TRPBF
Hojas de datos :
IRF5802TRPBF.pdf
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