IPN70R600P7SATMA1 - MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Número de pieza del fabricante

IPN70R600P7SATMA1

Número interno de parte

AX-IPN70R600P7SATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1474675 Pieces

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Especificaciones para IPN70R600P7SATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPN70R600P7SATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Serie : CoolMOS™ P7

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 700V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 364pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 6.9W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT223

Paquete / Caja : TO-261-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPN70R600P7SATMA1

Hojas de datos : IPN70R600P7SATMA1.pdf

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