SSM6K361NU,LF - MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3110115 Pieces
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Especificaciones para SSM6K361NU,LF
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SSM6K361NU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
3.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
430pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja :
6-WDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SSM6K361NU,LF
Hojas de datos :
SSM6K361NU,LF.pdf
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