TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
237720 Pieces
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Especificaciones para TK31V60W5,LVQ
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TK31V60W5,LVQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Serie :
DTMOSIV
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
30.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
3000pF @ 300V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja :
4-VSFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TK31V60W5,LVQ
Hojas de datos :
TK31V60W5,LVQ.pdf
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