JAN1N5553US - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-JAN1N5553US
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
36267 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para JAN1N5553US
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
JAN1N5553US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/420
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.3V @ 9A
Velocidad :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
2µs
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SQ-MELF, B
Paquete del dispositivo del proveedor :
D-5B
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para JAN1N5553US
Hojas de datos :
JAN1N5553US.pdf
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