JAN1N5553US - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-JAN1N5553US
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
36267 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para JAN1N5553US
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : JAN1N5553US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 9A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 2µs
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SQ-MELF, B
Paquete del dispositivo del proveedor : D-5B
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para JAN1N5553US
Hojas de datos : JAN1N5553US.pdf
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