RD3S100CNTL1 - NCH 190V 10A POWER MOSFET

Número de pieza del fabricante

RD3S100CNTL1

Número interno de parte

AX-RD3S100CNTL1

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

NCH 190V 10A POWER MOSFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

530160 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.5292~~

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Especificaciones para RD3S100CNTL1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RD3S100CNTL1

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : NCH 190V 10A POWER MOSFET

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 190V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2000pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 85W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RD3S , RD3S10

Documentos para RD3S100CNTL1

Hojas de datos : RD3S100CNTL1.pdf

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