PMDT290UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3766460 Pieces
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Especificaciones para PMDT290UNE,115
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PMDT290UNE,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 83pF @ 10V
Potencia - max : 500mW
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-666
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para PMDT290UNE,115
Hojas de datos : PMDT290UNE,115.pdf
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