PMFPB8032XP,115 - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Número de pieza del fabricante

PMFPB8032XP,115

Número interno de parte

AX-PMFPB8032XP,115

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1584030 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.17712~~

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Especificaciones para PMFPB8032XP,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMFPB8032XP,115

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 550pF @ 10V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-HUSON-EP (2x2)

Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PMFPB8032XP,115

Hojas de datos : PMFPB8032XP,115.pdf

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