ALD212900PAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-ALD212900PAL
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
94270 Pieces
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Especificaciones para ALD212900PAL
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : ALD212900PAL
Fabricante : Advanced Linear Devices Inc.
Descripción : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Serie : EPAD®, Zero Threshold™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 10.6V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 30pF @ 5V
Potencia - max : 500mW
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDIP
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para ALD212900PAL
Hojas de datos : ALD212900PAL.pdf
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