W988D2FBJX7E TR - IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
212940 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para W988D2FBJX7E TR
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
W988D2FBJX7E TR
Fabricante :
Winbond Electronics
Descripción :
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - Mobile LPSDR
Tamaño de la memoria :
256Mb (8M x 32)
Frecuencia de reloj :
133MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
15ns
Tiempo de acceso :
5.4ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
90-VFBGA (8x13)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para W988D2FBJX7E TR
Hojas de datos :
W988D2FBJX7E TR.pdf
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