CSD17581Q3AT - 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Número de pieza del fabricante

CSD17581Q3AT

Número interno de parte

AX-CSD17581Q3AT

Fabricante

Texas Instruments

Breve descripción

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

849570 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.33024~~

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Especificaciones para CSD17581Q3AT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD17581Q3AT

Fabricante : Texas Instruments

Descripción : 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3640pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.8W (Ta), 63W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSONP (3x3.15)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CSD17581Q3AT

Hojas de datos : CSD17581Q3AT.pdf

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