BSO612CVGHUMA1 - MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1050655 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para BSO612CVGHUMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
BSO612CVGHUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie :
SIPMOS®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
340pF @ 25V
Potencia - max :
2W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-DSO-8
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para BSO612CVGHUMA1
Hojas de datos :
BSO612CVGHUMA1.pdf
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