EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Número de pieza del fabricante

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Número interno de parte

AX-EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

43962 Pieces

Precio de referencia

~~USD 8.51391~~

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Especificaciones para EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2

Tamaño de la memoria : 4Gb (128M x 32)

Frecuencia de reloj : 533MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 125°C (TC)

Tipo de montaje : -

Paquete / Caja : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : EDB4432 , EDB4432BBB

Documentos para EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Hojas de datos : EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D.pdf

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GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
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