BSG0813NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
458750 Pieces
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Especificaciones para BSG0813NDIATMA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BSG0813NDIATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 19A, 33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1100pF @ 12V
Potencia - max : 2.5W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TISON-8
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para BSG0813NDIATMA1
Hojas de datos : BSG0813NDIATMA1.pdf
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