IPS06N03LZ G - MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IPS06N03LZ G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9081 Pieces
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Especificaciones para IPS06N03LZ G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPS06N03LZ G
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2653pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO251-3
Paquete / Caja : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IPS06N03LZ G
Hojas de datos : IPS06N03LZ G.pdf
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