HAT2299WP-EL-E - MOSFET N-CH WPAK

Número de pieza del fabricante

HAT2299WP-EL-E

Número interno de parte

AX-HAT2299WP-EL-E

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET N-CH WPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21736 Pieces

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Especificaciones para HAT2299WP-EL-E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HAT2299WP-EL-E

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET N-CH WPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 150V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 14A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 710pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-WPAK

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para HAT2299WP-EL-E

Hojas de datos : HAT2299WP-EL-E.pdf

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