NVD4809NHT4G - MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Número de pieza del fabricante

NVD4809NHT4G

Número interno de parte

AX-NVD4809NHT4G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

20600 Pieces

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Especificaciones para NVD4809NHT4G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVD4809NHT4G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Ta), 58A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 11.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2155pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.3W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NVD4809NHT4G

Hojas de datos : NVD4809NHT4G.pdf

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