MT47H64M8JN-25E:G - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Número de pieza del fabricante

MT47H64M8JN-25E:G

Número interno de parte

AX-MT47H64M8JN-25E:G

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

35196 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para MT47H64M8JN-25E:G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MT47H64M8JN-25E:G

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR2

Tamaño de la memoria : 512Mb (64M x 8)

Frecuencia de reloj : 400MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 400ps

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 60-TFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 60-FBGA (8x10)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MT47H , MT47H64M

Documentos para MT47H64M8JN-25E:G

Hojas de datos : MT47H64M8JN-25E:G.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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