BQ4013MA-120 - IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
6032 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para BQ4013MA-120

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BQ4013MA-120
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de memoria : Non-Volatile
Formato de memoria : NVSRAM
Tecnología : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria : 1Mb (128K x 8)
Frecuencia de reloj : -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 120ns
Tiempo de acceso : 120ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 4.75V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Paquete del dispositivo del proveedor : 32-DIP Module (18.42x42.8)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Documentos para BQ4013MA-120

Hojas de datos : BQ4013MA-120.pdf

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