FQD12N20TM_F080 - MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Número de pieza del fabricante

FQD12N20TM_F080

Número interno de parte

AX-FQD12N20TM_F080

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

7304 Pieces

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Especificaciones para FQD12N20TM_F080

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQD12N20TM_F080

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 910pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D-Pak

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FQD12N20TM_F080

Hojas de datos : FQD12N20TM_F080.pdf

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