SI1029X-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2355105 Pieces
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Especificaciones para SI1029X-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI1029X-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
30pF @ 25V
Potencia - max :
250mW
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor :
SC-89-6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI1029X-T1-GE3
Hojas de datos :
SI1029X-T1-GE3.pdf
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