IS43DR86400E-25DBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
72205 Pieces
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Especificaciones para IS43DR86400E-25DBLI
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IS43DR86400E-25DBLI
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria : 512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj : 400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns
Tiempo de acceso : 400ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 60-TWBGA (8x10.5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IS43DR86400E-25DBLI
Hojas de datos : IS43DR86400E-25DBLI.pdf
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