EPC2103ENGRT - GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
97310 Pieces
Precio de referencia
USD 2.883
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Especificaciones para EPC2103ENGRT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : EPC2103ENGRT
Fabricante : EPC
Descripción : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Serie : eGaN®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7600pF @ 40V
Potencia - max : -
Temperatura de funcionamiento : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : Die
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Documentos para EPC2103ENGRT

Hojas de datos : EPC2103ENGRT.pdf

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