SIZF920DT-T1-GE3 - MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

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Fabricante
Breve descripción
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
514515 Pieces
Precio de referencia
USD 0.545292
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Especificaciones para SIZF920DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SIZF920DT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Serie : TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Potencia - max : 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair® (6x5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : SIZF9 , SIZF920D

Documentos para SIZF920DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZF920DT-T1-GE3.pdf

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