SIZF920DT-T1-GE3 - MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

Número de pieza del fabricante

SIZF920DT-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SIZF920DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

514515 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.545292~~

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Especificaciones para SIZF920DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIZF920DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V, 125nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V

Potencia - max : 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SIZF920DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZF920DT-T1-GE3.pdf

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