EPC2022 - GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-EPC2022
Fabricante
Breve descripción
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
97940 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para EPC2022
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : EPC2022
Fabricante : EPC
Descripción : GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 12mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1500pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Paquete / Caja : Die
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para EPC2022
Hojas de datos : EPC2022.pdf
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