IRFU3410 - MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK

Número de pieza del fabricante

IRFU3410

Número interno de parte

AX-IRFU3410

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

65715 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRFU3410

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFU3410

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 31A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1690pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : IPAK (TO-251)

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRFU3410

Hojas de datos : IRFU3410.pdf

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