FQA10N80C-F109 - MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Número de pieza del fabricante

FQA10N80C-F109

Número interno de parte

AX-FQA10N80C-F109

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

116315 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.412~~

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Especificaciones para FQA10N80C-F109

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQA10N80C-F109

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2800pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 240W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P

Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FQA10N80C-F109

Hojas de datos : FQA10N80C-F109.pdf

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