FDS8870_G - INTEGRATED CIRCUIT

Número de pieza del fabricante

FDS8870_G

Número interno de parte

AX-FDS8870_G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

INTEGRATED CIRCUIT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52998 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDS8870_G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDS8870_G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 112nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4615pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDS8870_G

Hojas de datos : FDS8870_G.pdf

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