MSRT20060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9552 Pieces
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Especificaciones para MSRT20060(A)D
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : MSRT20060(A)D
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Configuración de diodo : 1 Pair Series Connection
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) : 200A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 200A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : Three Tower
Paquete del dispositivo del proveedor : Three Tower
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para MSRT20060(A)D
Hojas de datos : MSRT20060(A)D.pdf
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