MT41K256M16V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Número de pieza del fabricante

MT41K256M16V90BWC1

Número interno de parte

AX-MT41K256M16V90BWC1

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

56260 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para MT41K256M16V90BWC1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MT41K256M16V90BWC1

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR3L

Tamaño de la memoria : 4Gb (256M x 16)

Frecuencia de reloj : -

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.283V ~ 1.45V

Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montaje : -

Paquete / Caja : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MT41K2 , MT41K256M

Documentos para MT41K256M16V90BWC1

Hojas de datos : MT41K256M16V90BWC1.pdf

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PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
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WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
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