MT41K256M16V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
56260 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para MT41K256M16V90BWC1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
MT41K256M16V90BWC1
Fabricante :
Micron Technology Inc.
Descripción :
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - DDR3L
Tamaño de la memoria :
4Gb (256M x 16)
Frecuencia de reloj :
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
-
Tiempo de acceso :
-
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento :
0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje :
-
Paquete / Caja :
-
Paquete del dispositivo del proveedor :
-
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para MT41K256M16V90BWC1
Hojas de datos :
MT41K256M16V90BWC1.pdf
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