IXFH6N100F - MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Número de pieza del fabricante

IXFH6N100F

Número interno de parte

AX-IXFH6N100F

Fabricante

IXYS-RF

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52950 Pieces

Precio de referencia

~~USD 5.298~~

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Especificaciones para IXFH6N100F

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFH6N100F

Fabricante : IXYS-RF

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Serie : HiPerRF™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1770pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 180W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247 (IXFH)

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFH6N100F

Hojas de datos : IXFH6N100F.pdf

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