NVMSD6N303R2G - MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

NVMSD6N303R2G

Número interno de parte

AX-NVMSD6N303R2G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15256 Pieces

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Especificaciones para NVMSD6N303R2G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVMSD6N303R2G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 950pF @ 24V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NVMS , NVMSD6

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Hojas de datos : NVMSD6N303R2G.pdf

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