FDFMA2P029Z - MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDFMA2P029Z
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1582155 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para FDFMA2P029Z
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
FDFMA2P029Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Serie :
PowerTrench®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
720pF @ 10V
Característica FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) :
1.4W (Tj)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja :
6-VDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para FDFMA2P029Z
Hojas de datos :
FDFMA2P029Z.pdf
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