GA50JT06-258 - TRANS SJT 600V 100A

Número de pieza del fabricante

GA50JT06-258

Número interno de parte

AX-GA50JT06-258

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

TRANS SJT 600V 100A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9060 Pieces

Precio de referencia

~~USD 395.8416~~

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Especificaciones para GA50JT06-258

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GA50JT06-258

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : TRANS SJT 600V 100A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : -

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 769W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 225°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-258

Paquete / Caja : TO-258-3, TO-258AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GA50 , GA50JT

Documentos para GA50JT06-258

Hojas de datos : GA50JT06-258.pdf

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