APTM10DAM02G - MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Número de pieza del fabricante

APTM10DAM02G

Número interno de parte

AX-APTM10DAM02G

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6640 Pieces

Precio de referencia

~~USD 67.46916~~

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Especificaciones para APTM10DAM02G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APTM10DAM02G

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 495A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1360nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 40000pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1250W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SP6

Paquete / Caja : SP6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para APTM10DAM02G

Hojas de datos : APTM10DAM02G.pdf

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