BSC039N06NSATMA1 - MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Número de pieza del fabricante

BSC039N06NSATMA1

Número interno de parte

AX-BSC039N06NSATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

543815 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para BSC039N06NSATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSC039N06NSATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 19A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 36µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2000pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSC039N06NSATMA1

Hojas de datos : BSC039N06NSATMA1.pdf

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