CUHS20S30,H3F - SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3680490 Pieces
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Especificaciones para CUHS20S30,H3F
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CUHS20S30,H3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 30V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 2A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 410mV @ 2A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 500µA @ 30V
Capacitancia a Vr, F : 390pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 2-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor : US2H
Temperatura de funcionamiento - Unión : 150°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para CUHS20S30,H3F
Hojas de datos : CUHS20S30,H3F.pdf
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