NVMFD5877NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
995070 Pieces
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Especificaciones para NVMFD5877NLT1G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NVMFD5877NLT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 540pF @ 25V
Potencia - max : 3.2W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para NVMFD5877NLT1G
Hojas de datos : NVMFD5877NLT1G.pdf
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