GP1M009A090N - MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Número de pieza del fabricante

GP1M009A090N

Número interno de parte

AX-GP1M009A090N

Fabricante

Global Power Technologies Group

Breve descripción

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21136 Pieces

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Especificaciones para GP1M009A090N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GP1M009A090N

Fabricante : Global Power Technologies Group

Descripción : MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 900V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2324pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 312W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3PN

Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GP1M , GP1M00

Documentos para GP1M009A090N

Hojas de datos : GP1M009A090N.pdf

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