RD3H080SPFRATL - RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
843870 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para RD3H080SPFRATL
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
RD3H080SPFRATL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
45V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1000pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-252
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para RD3H080SPFRATL
Hojas de datos :
RD3H080SPFRATL.pdf
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