SI8424DB-T1-E1 - MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Número de pieza del fabricante

SI8424DB-T1-E1

Número interno de parte

AX-SI8424DB-T1-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4632 Pieces

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Especificaciones para SI8424DB-T1-E1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI8424DB-T1-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12.2A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 5V

Vgs (Max) : ±5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1950pF @ 4V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-Microfoot

Paquete / Caja : 4-XFBGA, CSPBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI84 , SI8424D

Documentos para SI8424DB-T1-E1

Hojas de datos : SI8424DB-T1-E1.pdf

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