SI4900DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Breve descripción
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
843440 Pieces
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Especificaciones para SI4900DY-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI4900DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 665pF @ 15V
Potencia - max : 3.1W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI4900DY-T1-GE3
Hojas de datos : SI4900DY-T1-GE3.pdf
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