SIA950DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27678 Pieces
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Especificaciones para SIA950DJ-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SIA950DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Serie :
LITTLE FOOT®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
190V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
90pF @ 100V
Potencia - max :
7W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SIA950DJ-T1-GE3
Hojas de datos :
SIA950DJ-T1-GE3.pdf
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