AUIRF7379Q - MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
28168 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para AUIRF7379Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : AUIRF7379Q
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 520pF @ 25V
Potencia - max : 2.5W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : AUIRF7379Q.pdf

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