SI8481DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2774785 Pieces
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Especificaciones para SI8481DB-T1-E1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI8481DB-T1-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Serie :
TrenchFET® Gen III
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
9.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2500pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Paquete / Caja :
4-UFBGA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI8481DB-T1-E1
Hojas de datos :
SI8481DB-T1-E1.pdf
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