HN1B01FU-Y(L,F,T) - TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Número de pieza del fabricante

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Número interno de parte

AX-HN1B01FU-Y(L,F,T)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

37170 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

AX Semiconductor tiene HN1B01FU-Y(L,F,T) en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para HN1B01FU-Y(L,F,T). Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para HN1B01FU-Y(L,F,T)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HN1B01FU-Y(L,F,T)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de transistor : NPN, PNP

Corriente - Colector (Ic) (Max) : 150mA

Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) : 50V

Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 10mA, 100mA

Corriente - Corte del colector (Máx.) : 100nA (ICBO)

Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 2mA, 6V

Potencia - max : 200mW

Frecuencia - Transición : 120MHz

Temperatura de funcionamiento : 125°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete del dispositivo del proveedor : US6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : HN1B0 , HN1B01FU

Documentos para HN1B01FU-Y(L,F,T)

Hojas de datos : HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf

Productos relacionados para HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	Marca	Descripción
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
WX110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.